目前主流的TFT面板有a－Si(非晶硅薄膜晶体管）TFT技术和LTPS TFT（低温多晶硅）TFT技术。

　　在a-Si方面，韩、日、台三个生产基地的技术各有千秋。日本厂商曾经研制出分辨率高达2560×2048的LCD产品。因此，有些人认为，a－Si TFT技术完全可满足高分辨率的产品需要，但是，由于技术的不成熟，它还不能满足高速视频影像或动画等的需要。LTPS TFT相对可以节约成本，这对于TFT LCD的推广有着重要意义。目前，日本厂商已经有量产12.1英寸LTPS TFT LCD的能力。而中国台湾已开发完成LTPS组件制造技术与LTPS SXGA面板技术。韩国在这方面缺少专门的设计人员和研发专家，但像三星等主要企业已经推出了LTPS产品，显示出韩国厂商的实力。不过，目前LTPS技术尚不成熟，产品集中在小屏幕，而且良品率低，成本优势尚无从谈起。

　　与LTPS相比，a-Si无疑是目前TFT LCD的主流。日该公司的a－SiTFT投资策略上几乎都以第三代LCD产品为主，通过制造技术及良品率的改善来提高产量，降低成本。日本一直走高端路线，其技术无疑是最先进的。由于研发力量有限，台湾的a-Si TFT技术主要来自日本厂商的转让，但由于台湾企业一般属于劳动密集型，技术含量价低，以生产低端产品为主。韩国在a-Si方面有着强大的研发实力，比如三星公司就量产了全球第一台24寸a-Si TFT LCD—240T，它的响应时间小于25ms，可以满足一般应用需要；而可视角度达到了160度，使得LCD在传统弱项上不输给CRT。三星240T标志着大屏幕TFT LCD技术走向成熟，也向世人展示了韩国厂商的实力不容置疑。

国际技术水平和现状　　TFT-LCD技术已经成熟，长期困扰液晶平板显示器的三大难题：视角、色饱和度、亮度已经获得解决。采用多区域垂直排列模式（MVA模式）和面内切换模式（IPS模式）使液晶平板显示的水平视角都达到了170度。MVA模式还使响应时间缩短到20ms。

(a) TN+Field

　　从技术角度来看，TN+Field解决方案是最简单的一种，TFT显示器制造商将过去用于老式LCD显示器的扭曲向列（TN:Twisted Nematic）技术，同TFT技术相结合，从而有了TN+Field技术。这项技术主要就是通过显示屏覆盖一层特殊的薄膜，来扩大可视角度——可以把可视角度从90度扩大到大约140度。如图6所示：TN+Field同标准TFT显示器一样都是通过排列液晶分子来实现对图象的控制，它在上表面覆盖一层薄膜来增大可视角度。

　　不过TFT显示器相对弱的对比度和缓慢的反应时间这些缺点仍然没有改变。所以TN+FIELD这种方式并不是做好的解决方案，除了它的造价最便宜之外没有任何可取之处。

(b)IPS（In-Plane Switching）

　　IPS就是In-Plane Switching的简称，意思就是平板开关，又称为Super TFT。最早由Hitachi(日立)开发，现在NEC和Nokia也使用此项技术制成显示器。这项技术同扭曲向列显示器（TN-Film）的不同就在于液晶分子相对于基本排列方式不同，如图7，当加上电压之后液晶分子与基板平行排列。

IPS技术和传统的液晶显示器的对比

采用这项技术的显示器的可视角度达到了170度，已经同阴极射线管的可视角度相当了，不过这项技术也有缺点：为了能让液晶分子平行排列，电极不能象扭曲向列显示器（TN-Film）一样，在两层基板上都有，只能放在低层的基板上——这样导致的直接结果就是显示器的亮度和对比度明显的下降，为了提高亮度和对比度，只有增强背光光源的亮度。这样一来，反应时间和对比度相对于普通TFT显示器而言更难提高了。所以这项技术似乎也不是最好的解决方案。

(c)MVA(Multi-Domain Vertical Alignment)

　　MVA多区域垂直排列技术，是由日本富士通（Fujitsu）公司开发的，单从技术的角度看，它兼顾了可视角度和反应时间两个方面。找到了一个折中的解决方法。MVA技术使得可视角达到了160度—— 虽然不如IPS能达到的170度的可视角度，不过它`仍然是好的，因为这项技术能够提供更好的对比度和更短的反应时间。

　　MVA中的M代指“multi-domains” —— 多区域的意思。图8所示，那些紫色的突起（protrusion）构成了所谓的区域。富士通目前生产的MAV显示器中一般就有这样4个区域。

　　VA是“vertical alignment”的简称，意为垂直排列。不过单从字面上看会产生一些误解，因为液晶分子并不是如图所示的“突起”（protrusion）完全垂直。请看图8所示黑色示意图。当电压生成一个电场时，液晶分子如图相互平行排列，这样背光光源就能穿过，而且能将光线向各个方向发散，从而扩大了可视角度。

　　另外，MVA还提供了比IPS和TN+Film技术都快的反应时间，这对于取得良好的视频回收和残视觉效果都是非常重要的。MVA液晶显示器的对比度也有所提高，不过同样也会随着可视度的变换而变化。

a-Si TFT-LCD技术研究现状　

　　通常的a-Si TFT主要由玻璃基板、栅电极、栅绝缘层、半导体活性层a-Si,欧姆接触层n+a-Si、源漏电极及保护膜等组成，其中栅绝缘层和保护膜一般采用SiN。

　　a-Si TFT 的结构可分为四种典型结构：源、漏、栅三电极位于半导体活性层a-Si同一侧的平面结构，其中源、漏、栅三电极位于a-Si层上侧的称正栅平面结构，源、漏、栅三电极位于a-Si层下侧的称倒栅平面结构；源、漏、电极与栅电极位于a-Si层两侧的交错结构，其中栅电极在a-Si层上侧，源、漏电极在a-Si层下侧的称正栅交错结构或顶栅结构，栅极在a-Si下侧，源、漏电极在a-Si层上侧的称倒栅交错结构或底栅结构。

　　从制造工艺上看，交错结构的SiN，a-Si和n+a-Si三层（或其中二层）可以连续淀积，适合流水作业，又可减少交叉污染。现在，交错结构已成为主流，它不仅对a-Si，SiN。n+a-Si可连续作业，而且倒栅还可以作遮光层（不需另设遮光层），这对a-Si TFT是重要的，因为a-Si对光敏感，一旦有光流入引起漏电流增加，将会导致像质恶化。